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smart-elements 04951-4-1說明書

更新時間:2021-07-16      點擊次數(shù):2246


二維材料,有時也稱為單層材料,是由單層原子組成的晶體材料。這些材料已用于光伏、半導體、電極和水凈化等應用。

二維材料通常可以歸類為各種元素或化合物的二維同素異形體(由兩個或多個共價鍵元素組成)。元素 2D 材料的名稱通常帶有 -ene 后綴,而化合物帶有 -ane 或 -ide 后綴。不同二維材料的分層組合通常稱為范德華異質(zhì)結(jié)構(gòu)。

2D 功能層與 3D (3D) 系統(tǒng)的有效集成仍然是一個重大挑戰(zhàn),限制了設備性能和電路設計。

據(jù)預測,大約有 700 種二維材料是穩(wěn)定的,但仍有許多有待合成。到 2025 年,全球二維材料市場預計將達到 3.9 億美元,主要用于半導體、電子、電池能源和復合材料市場中的石墨烯。

 

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o-SiP 正交磷化硅晶體 80mg

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o-SiP 正交磷化硅小晶體 80mg

氬氣下安瓿中的較小單晶。你得到圖片上顯示的安瓿。

SKU:04951-4-1 分類:2D-Material ,純元素

描述

o-SiP 正交磷化硅

特性: 銅光澤,紅色半透明晶體片。空氣穩(wěn)定,濃度穩(wěn)定。非氧化性酸。熔點 ~ 1110–1130 °C 

正交 SiP (o-SiP) 是一種二維層狀晶體,可能對光電技術(shù)產(chǎn)生重大影響。

差示掃描量熱法 (DSC) 和熱重
分析 (TGA) 曲線表明,即使
在 1045 °C 的溫度下,o-SiP 也是熱穩(wěn)定的。這對于器件
制造和實際應用非常重要。與石墨烯不同,o-SiP
具有適當?shù)膸叮_定為 1.7 eV。
體 o-SiP 是一種 p 型半導體,其載流子遷移
率為 2.034 × 103 cm2 V-1 s-1,是 MoS2 的十倍。
o-SiP的光響應特性通過
使用 671 nm 激光的激發(fā)研究,分別具有 20、40、60、80、100
和 120 mW 的不同功率。合適的帶隙
和足夠高的載流子遷移率,以及清晰的光開關(guān)
行為和相對較快的響應,使
o-SiP成為二維電子和光電
材料成為可能。


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